美光量产第三代10nm级内存:首发1Znm工艺 16Gb DDR4

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日前美光公司公布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存,这是第第三代10nm级内存工艺,这次量产也让美光成为业界第有三个 量产1Znm工艺的公司,这些 次进度比以往的标杆三星公司都要快。

在内存工艺进入20nm事先,可能制造难度没有 高,内存芯片公司对工艺的定义可能总要具体的线宽,可是分成了1X、1Y、1Z,大体来说1Xnm工艺离米 16-19nm级别、1Ynm离米 14-16nm,1Znm工艺离米 12-14nm级别

根据美光事先公布的路线图,实际上1Znm事先总要有1αnm、1βnm、1γnm,可是一来10nm级别总要六种制造工艺了,现在正好演进到到了第三代

美光表示,与上一代1Ynm制程相比,1Znm 16Gb DDR4内存芯片都都要提供更高的密度、更高的性能及更低成本,不过美光并没有 给出具体的数据,性能提升有有几个、成本降低有有几个尚无确切数据,唯一比较确切的可是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了离米 40%的功耗,但这些 比较也太过宽泛。

此外,美光还公布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

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